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申请/专利权人：内蒙古科技大学
申请日：2024-11-29
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119219415A
专利技术分类：....复合材料[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种A位双稀土离子共掺反铁电陶瓷及其制备方法与应用。陶瓷结构通式为：Pb1.01‑1.5n‑yMnCayZr1‑xSnx0.995O3；其中M包括稀土元素，并且0.3x≤0.5，0.02n≤0.04，0y≤0.03；多元素A位取代构筑陶瓷，不仅提升了陶瓷反铁电相的稳定性，也促进了致密化生长，提升反铁电陶瓷的击穿电场；提高流延膜的致密度，同时可抑制陶瓷晶粒的生长尺寸，改善陶瓷的击穿电场；反铁电陶瓷的厚度为25~40μm，储能密度为23~35Jcm3，储能效率高达70%以上；与现有技术相比，本发明所制备的陶瓷材料的储能密度提升了6~25Jcm3，放电时间显著缩短。
专利权项：1.一种A位双稀土离子共掺反铁电陶瓷，其特征在于，陶瓷结构通式为：Pb1.01-1.5n-yMnCayZr1-xSnx0.995O3；其中M包括稀土元素，并且0.3x≤0.5，0.02n≤0.04，0y≤0.03；所述稀土元素包括La、Sm、Nd、Eu、Gd、Pr、Dy和Yb中的任意两种，所述陶瓷的储能密度为23~35Jcm3，储能效率为70~92%。
百度查询： 内蒙古科技大学 一种A位双稀土离子共掺反铁电陶瓷及其制备方法与应用
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