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适用于钻石晶体生长的自适应方法、装置、系统专利

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申请/专利权人:中国科学技术大学

申请日:2024-12-05

公开(公告)日:2025-01-03

公开(公告)号:CN119243331A

专利技术分类:..金刚石[2006.01]

专利摘要:本发明提供了一种适用于钻石晶体生长的自适应方法、装置、系统,属于晶体生长技术领域。适用于钻石晶体生长的自适应方法包括:根据钻石晶体的预设生长目标从钻石工艺数据库中确定实现预设生长目标的工艺参数,并将工艺参数输出至钻石生长设备使钻石样品按照工艺参数进行生长;从钻石生长设备提取生长中的钻石样品的钻石生长参数,并利用钻石生长数据分析模型预测在工艺参数下的预测生长目标;在预测生长目标与预设生长目标不一致的情况下,基于预测生长目标、预设生长目标、钻石生长参数和工艺参数对工艺参数进行调整,并使钻石样品按照调整后的工艺参数进行生长;重复提取、预测和调整的操作,直至预测生长目标与预设生长目标一致。

专利权项:1.一种适用于钻石晶体生长的自适应方法,其特征在于,所述自适应方法包括:根据钻石晶体的预设生长目标,从钻石工艺数据库中确定适用于实现所述预设生长目标的工艺参数,并将所述工艺参数输出至钻石生长设备,以使钻石样品在所述钻石生长设备内按照所述工艺参数进行生长;从所述钻石生长设备提取生长中的所述钻石样品在生长过程中的钻石生长参数;根据所述钻石生长参数,利用已经建立的钻石生长数据分析模型预测得到生长中的所述钻石样品在所述工艺参数下的预测生长目标;在所述预测生长目标与所述预设生长目标不一致的情况下,基于所述预测生长目标、所述预设生长目标、所述钻石生长参数和所述工艺参数,对所述工艺参数进行调整,得到适用于实现所述预设生长目标的调整后的工艺参数,并将所述调整后的工艺参数输出至所述钻石生长设备,以使所述钻石样品按照所述调整后的工艺参数进行生长;重复所述提取、所述预测和调整的操作,直至所述钻石样品的预测生长目标与所述预设生长目标相一致。

百度查询: 中国科学技术大学 适用于钻石晶体生长的自适应方法、装置、系统

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