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申请/专利权人：杜宏财

申请日：2024-10-24

公开（公告）日：2025-01-14

公开（公告）号：CN119307970A

专利技术分类：....由至少一种催化元素和至少一种催化化合物组成；由两种或多种催化元素或催化化合物组成[2021.01]

专利摘要：本发明提供了一种光电复合材料、制备方法及其应用，所述材料为FTOAuMoSe2WSe2CuGaSeBi2O3‑Se复合光电材料，施加较低的偏压‑1.0V,vs.SCE，100mWcm2光强下，制备的光电材料的二氧化碳还原性能最好，甲醇产量能达到382nmolcm2。

专利权项：1.一种光电复合材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）FTO玻璃表面预处理：将FTO玻璃浸泡于超声辅助的脱脂液中，然后依次使用乙醇和去离子水冲洗，然后使用氮气吹干；（2）蒸镀Au层，Au层的厚度为10-15nm；（3）制备MoSe2悬浮液并涂覆MoSe2层：将1-2mM钼酸钠、2-2.5mM硒粉、1-1.5mM硼氢化钠、10-20mL乙醇加入去离子水中，充分搅拌后，转移至水热反应釜，于170-190℃下水热反应24-30h，冷却，过滤获得固体物质，将所述固体物质与10-25mL聚丙烯酸搅拌1-2h混合后，静置20-24h，然后采用浸渍提拉法，以10-15mms的提拉速度在步骤（2）制备获得的Au层上涂覆，时间为150-200s，然后50-60℃氮气干燥；获得MoSe2层；（4）制备WSe2悬浮液并涂覆WSe2层：将1-2mM钨酸钠、2-4mM硒粉、1.3-2mM硼氢化钠、60-100mLDMF加入去离子水中，充分搅拌后，转移至水热反应釜，与180-200℃下水热反应24-30h，冷却，过滤获得固体物质，将所述固体物质与10-25mL聚丙烯酸搅拌1-2h混合后，静置20-24h，然后采用浸渍提拉法，以10-15mms的提拉速度在步骤（3）制备获得的涂层上涂覆，时间为200-300s，然后50-60℃氮气干燥；获得WSe2层；（5）恒电位沉积CuGaSe层：以步骤（4）制备获得的FTOAuMoSe2WSe2为工作电极，置于Cu2+:Ga3+:SeO32-各为1.6mmolL:1.5mmolL:4mmolL的溶液中，另外以0.5molL柠檬酸钠作为络合剂和以1.0molL硫酸钠作为电解质，使用HCl调节pH值在1.8-2.0之间，在搅拌条件下，于-0.5V处以恒电位式单次沉积10s，累积重复沉积15次，获得CuGaSe层；（6）配制硒改性氧化铋电解液，并电沉积Se-Bi2O3层：电解液包括有4.85mmolL硝酸铋，0.9mmolL硒酸钠、0.2mmolL醋酸和去离子水，以步骤（5）制备的FTOAuMoSe2WSe2CuGaSe为工作电极，铂网为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，在-0.7V恒电位下，沉积30-60min，晾干取出，于5vol.%氧氮混合气中干燥，干燥温度为70-80℃，时间为10-15h，最终获得所需的光电复合材料。

百度查询： 杜宏财 一种光电复合材料、制备方法及其应用