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申请/专利权人：华东计算技术研究所(中国电子科技集团公司第三十二研究所)

申请日：2024-10-14

公开（公告）日：2025-01-14

公开（公告）号：CN119315967A

专利技术分类：..为防止噪声或干扰起作用而对发生器的改进[2006.01]

专利摘要：本发明的技术方案提供了一种基于新型负偏斜延迟单元的低相噪四级环形振荡器。本发明的四级负偏斜延迟单元压控振荡器的电压输出波形更加对称，从而减少了二阶谐波的产生。这可以解释为二极管连接型PMOS管的存在提升了压控振荡器的功耗，增加了输出节点电压从高到低的转换速度，使得本发明的四级负偏斜延迟单元压控振荡器的相噪，相较于无改良结构的压控振荡器相位噪声减小了10dB。本发明中，四级负偏斜延迟单元压控振荡器的KVCO线性度获得了提升。

专利权项：1.一种基于新型负偏斜延迟单元的低相噪四级环形振荡器，其特征在于，包括PMOS管M6、M7、M8、M9，NMOS管M2、M3、M4、M5以及相噪及线性度优化PMOS管M10、M11、M12、M13，其中：PMOS管M6、M7、M8、M9的源极并联在一起后接电源电压，PMOS管M6的漏级接NMOS管M2的漏级，PMOS管M7的漏级接NMOS管M3的漏级，PMOS管M8的漏级接NMOS管M4的漏级，PMOS管M9的漏级接NMOS管M5的漏级；PMOS管M6的栅级接NMOS管M4的漏级，PMOS管M7的栅级接NMOS管M5的漏级，PMOS管M8的栅级接NMOS管M2的漏级，PMOS管M9的栅级接NMOS管M3的漏级；NMOS管M2、M3、M4、M5的源极并联在一起后接尾电流源M1；NMOS管M2的栅极接NMOS管M5的漏级，NMOS管M5的栅极接NMOS管M4的漏级，NMOS管M4的栅极接NMOS管M2漏极，NMOS管M3的栅极接NMOS管M2的漏级；相噪及线性度优化PMOS管M10、M11、M12、M13源极并联在一起后接电源电压；相噪及线性度优化PMOS管M10的漏级与栅极短接，然后接PMOS管M6的漏级；相噪及线性度优化PMOS管M11的漏级与栅极短接，然后接PMOS管M7的漏级；相噪及线性度优化PMOS管M12的漏级与栅极短接，然后接PMOS管M8的漏级；相噪及线性度优化PMOS管M13的漏级与漏级短接，然后接PMOS管M9的漏级。

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