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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-07-23
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN113628657B
专利技术分类：...地址电路；译码器；字线控制电路[2006.01]
专利摘要：本发明的实施例提供了一种存储器器件、集成电路器件及其操作方法。存储器器件，包括至少一个位线、至少一个源极线、至少一个编程字线、至少一个读取字线以及至少一个包括编程晶体管和读取晶体管的存储器单元。编程晶体管包括耦接到至少一个编程字线的栅极端子、耦接到至少一个源极线的第一端子以及第二端子。读取晶体管包括耦接到至少一个读取字线的栅极端子、耦接到至少一个位线的第一端子以及耦接到编程晶体管的第二端子。
专利权项：1.一种存储器器件，包括：至少一个位线；至少一个源极线；至少一个编程字线；至少一个读取字线；以及至少一个存储器单元，包括编程晶体管和读取晶体管，控制器，经由所述至少一个位线、所述至少一个源极线、所述至少一个编程字线和所述至少一个读取字线耦合到所述至少一个存储器单元，其中所述编程晶体管包括：栅极端子，耦接到所述至少一个编程字线，第一端子，耦接到所述至少一个源极线，和第二端子，以及所述读取晶体管包括：栅极端子，耦接到所述至少一个读取字线，第一端子，耦接到所述至少一个位线，和第二端子，耦接到所述编程晶体管，其中，所述控制器被配置为在编程操作中：经由所述至少一个源极线向所述编程晶体管的所述第一端子施加第一电压，以及经由所述至少一个编程字线将第二电压施加到所述编程晶体管的栅极端子，其中，所述第一电压高于所述第二电压，并且所述第一电压和所述第二电压之间的电压差等于或高于预定击穿电压以击穿所述编程晶体管的栅极电介质。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器器件，集成电路器件及其操作方法
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