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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2024-05-21
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119324150A
专利技术分类：..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜[2006.01]
专利摘要：一种半导体处理设备包括：光产生器，其被配置为输出具有极紫外EUV波段的EUV光；掩模台，其被配置为放置反射从光产生器输出的EUV光的掩模；光接收光学单元，其包括通过反射从掩模反射的EUV光产生输出光的多个镜，所述多个镜中的至少一个包括镜主体和附着于镜主体的表面的反射层；电源，其被配置为将偏置电压施加至反射层；以及衬底台，其被配置为放置要被输出光辐射的衬底。
专利权项：1.一种半导体处理设备，包括：光产生器，其被配置为输出具有极紫外波段的极紫外光；掩模台，其被配置为放置掩模，所述掩模被配置为反射从所述光产生器输出的所述极紫外光；光学光接收器，其包括被配置为通过反射从所述掩模反射的所述极紫外光产生输出光的多个镜，所述多个镜中的至少一个包括镜主体和附着于所述镜主体的表面的反射层；电源，其被配置为将偏置电压施加至所述反射层；以及衬底台，其被配置为放置要被辐射有所述输出光的衬底，其中，所述反射层包括多个硅层、与所述多个硅层交替地堆叠的多个钼层、以及至少一个石墨烯层，并且其中，所述至少一个石墨烯层包括：基础区，其包括石墨烯，以及多个焊盘，其附着于所述基础区并且被配置为使得所述偏置电压能够被施加至所述多个焊盘。
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