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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325232A
专利技术分类：...沟道具有垂直部分，例如，U形沟道[2023.01]
专利摘要：本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：第一栅极结构，其在第一存储块中并且包括层叠的第一栅极线，第一栅极线从平面中央区域延伸到平面边缘区域；第二栅极结构，其在与第一存储块相邻的第二存储块中并且包括层叠的第二栅极线，第二栅极线从平面中央区域延伸到平面边缘区域；隔离绝缘结构，其位于a第一栅极结构和第二栅极结构之间并且位于b平面边缘区域中，隔离绝缘结构包括层叠的绝缘板和延伸穿过绝缘板的绝缘柱；以及狭缝结构，其位于a第一栅极结构与第二栅极结构之间并且位于b平面中央区域中，狭缝结构连接到隔离绝缘结构并且包括在狭缝结构的侧壁上的不平整部。
专利权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一栅极结构，所述第一栅极结构在第一存储块中并且包括层叠的第一栅极线，所述第一栅极线从平面中央区域延伸到平面边缘区域；第二栅极结构，所述第二栅极结构在与所述第一存储块相邻的第二存储块中并且包括层叠的第二栅极线，所述第二栅极线从所述平面中央区域延伸到所述平面边缘区域；隔离绝缘结构，所述隔离绝缘结构位于a所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并且位于b所述平面边缘区域中，所述隔离绝缘结构包括层叠的绝缘板和延伸穿过所述绝缘板的绝缘柱；以及狭缝结构，所述狭缝结构位于a所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且位于b所述平面中央区域中，所述狭缝结构连接到所述隔离绝缘结构，并且在所述狭缝结构的侧壁上包括不平整部。
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及半导体装置的制造方法
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