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申请/专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日：2023-07-14
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119320992A
专利技术分类：..碳化物[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种晶相结构规整的碳化硅基板，属于碳化硅生产加工技术领域。将所述碳化硅基板划分为包含微管或位错，并且长度为100μm的第一正方区域，和不包含微管或位错，并且长度为100μm的第二正方区域，所述第一正方区域数量与所述第二正方区域数量的比值为1：1.64‑21.4；所述第一正方区域的体内应力大于所述第二正方区域的体内应力。该碳化硅基板自身的晶格结构规整性高，从而降低晶格畸变和缺陷密度，能够提高碳化硅基板的性能和成品率，扩大碳化硅基板的使用范围。
专利权项：1.一种晶相结构规整的碳化硅基板，其特征在于，所述碳化硅基板包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；将所述碳化硅基板划分为包含微管或位错，并且长度为100μm的第一正方区域，和不包含微管或位错，并且长度为100μm的第二正方区域，所述第一正方区域数量与所述第二正方区域数量的比值为1：12.9-21.4；所述第一正方区域的体内应力大于所述第二正方区域的体内应力，所述体内应力为自所述第一主表面和或第二主表面向碳化硅基板内垂直延伸30％-60％基板厚度的区域处检测的应力值。
百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种晶相结构规整的碳化硅基板
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