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申请/专利权人：苏州聚谦半导体有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325255A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有自表面向衬底方向分布的源区和体区；设于半导体层表面上的多对侧墙；设于每对侧墙之间的半导体层表面以下的栅沟槽，栅沟槽中设有栅氧层和栅极；设于相邻两对侧墙之间的半导体层表面以下的超结沟槽，超结沟槽的内壁上设有第一种导电类型的第一外延层，第一外延层以内设有第二种导电类型的第二外延层，第一外延层和第二外延层通过顶部与体区相连。本发明能在减少光罩实现自对准的同时，缩小器件面积，并可将漂移区直接改成本征半导体层，从而可在提高耐压的同时，降低导通电阻。
专利权项：1.一种自对准双外延超结深槽MOSFET，其特征在于，包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中设有自所述半导体层表面向所述衬底方向依次分布的源区和体区；并列设于所述半导体层表面上的多对侧墙；设于每对所述侧墙之间的所述半导体层表面以下的栅沟槽，所述栅沟槽中设有栅氧层和位于所述栅氧层以内的所述栅沟槽中的栅极；设于相邻两对所述侧墙之间的所述半导体层表面以下的超结沟槽，所述超结沟槽的内壁上设有第一种导电类型的第一外延层，所述第一外延层以内的所述超结沟槽中设有第二种导电类型的第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层通过面向所述半导体层表面的顶部与所述体区相连。
百度查询： 苏州聚谦半导体有限公司 自对准双外延超结深槽MOSFET及制造方法
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