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申请/专利权人：苏州聚谦半导体有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325257A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中自表面向衬底方向依次设有体区和漂移区，体区中设有位于半导体层表面以下的源区；设于源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对第一侧墙之间的半导体层中且穿过源区的沟槽栅；埋入在一对第一侧墙之间且连接沟槽栅的栅极金属；设于沟槽栅一侧的半导体层中的源区接触沟槽，和填充于源区接触沟槽中并连接源区的源区接触金属；栅极金属和源区接触金属分别通过导电接触孔连接金属互连层。本发明能加快导通速度，增加开关频率，并能在减少光罩和消除套刻误差的同时，缩小器件面积，减小短路电阻，改善了器件性能。
专利权项：1.一种自对准埋入式栅极金属MOSFET，其特征在于，包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中自表面向所述衬底方向依次设有体区和漂移区，所述体区中设有位于所述半导体层表面以下的源区；设于所述源区上方的所述半导体层表面上的一对第一侧墙；设于一对所述第一侧墙之间的所述半导体层中且穿过所述源区的沟槽栅；埋入在一对所述第一侧墙之间且连接所述沟槽栅的栅极金属；设于所述沟槽栅一侧的所述半导体层中的源区接触沟槽，和填充于所述源区接触沟槽中并连接所述源区的源区接触金属；所述栅极金属和所述源区接触金属分别通过导电接触孔连接金属互连层。
百度查询： 苏州聚谦半导体有限公司 自对准埋入式栅极金属MOSFET及制造方法
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