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申请/专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325276A
专利技术分类：
专利摘要：本公开提供一种薄膜阵列的制备方法，属于薄膜晶体管领域。本公开提供的一种薄膜阵列的制备方法，包括提供一第一衬底，所述第一衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；提供一第二衬底，所述第二衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一衬底的第一表面的至少部分区域进行H离子注入，注入深度为第一深度，以使所述第一衬底的至少部分区域在第一深度位置处的化合键断裂；在所述第一衬底的第一表面处进行，形成包括多个预制凸出部的图案，所述预制凸出部的高度大于第一深度；将预制凸出部形成在所述第二衬底上，并进行处理形成多个凸出部，以形成薄膜阵列。
专利权项：1.一种薄膜阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一第一衬底，所述第一衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；提供一第二衬底，所述第二衬底具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一衬底的第一表面的至少部分区域进行氢离子注入，注入深度为第一深度，以使所述第一衬底的至少部分区域在第一深度位置处的化合键断裂；在所述第一衬底的第一表面处进行，形成包括多个预制凸出部的图案，所述预制凸出部的高度大于第一深度；将预制凸出部形成在所述第二衬底上，并进行处理形成多个凸出部，以形成薄膜阵列。
百度查询： 北京京东方技术开发有限公司 京东方科技集团股份有限公司 薄膜阵列的制备方法
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