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申请/专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日：2023-07-19
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119341495A
专利技术分类：.零部件[2006.01]
专利摘要：本申请提供了一种复合基板及其制备方法，复合基板包括压电基板和支撑基板，支撑基板选自镁铝尖晶石单晶晶圆，压电基板的下表面与支撑基板的上表面键合，镁铝尖晶石单晶晶圆的上表面的PV值为2nm‑30nm。复合基板的制备方法包括：将镁铝尖晶石单晶进行切割、外形加工、粗磨、精磨和抛光，获得镁铝尖晶石单晶晶圆；获得抛光后的压电晶体晶圆；将上述镁铝尖晶石单晶晶圆的上表面和抛光后的压电晶体晶圆的下表面进行表面处理，然后进行键合，获得复合基板。本申请提供的复合基板满足上述特征，能够降低复合基板的加工难度，减小复合基板的加工成本和材料成本、改善复合基板的质量一致性和加工性能，提高成品率和产率。
专利权项：1.一种复合基板，其包括压电基板和支撑基板，所述支撑基板选自镁铝尖晶石单晶晶圆，所述压电基板的下表面与所述支撑基板的上表面键合，所述镁铝尖晶石单晶晶圆的上表面的PV值为2nm-30nm。
百度查询： 中材人工晶体研究院有限公司 北京中材人工晶体研究院有限公司 一种复合基板及其制备方法
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