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申请/专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日：2024-09-12
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119364933A
专利技术分类：
专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种钼基板处理方法，至少包括预研磨步骤；提供一钼基板，对钼基板的相对两表面进行研磨；氧化层形成步骤；于钼基板的相对两表面分别形成氧化层；抛光移除步骤；采用磨料自氧化层背离钼基板一侧表面向钼基板方向进行抛光以移除氧化层及部分钼基板，得到处理后的钼基板；其中，所移除的部分钼基板定义为移除层。通过上述步骤能够得到良好的抛光表面质量，同时提高接著力，降低金属脱落、开裂等不良现象的发生，提高制程良率。
专利权项：1.一种钼基板处理方法，其特征在于，包括：预研磨步骤；提供一钼基板，对所述钼基板的相对两表面进行研磨；氧化层形成步骤；于所述钼基板的相对两表面分别形成氧化层；抛光移除步骤；采用磨料自所述氧化层背离钼基板一侧表面向钼基板方向进行抛光以移除氧化层及部分钼基板，得到处理后的钼基板；其中，所移除的部分钼基板定义为移除层。
百度查询： 福建晶安光电有限公司 一种钼基板处理方法及半导体器件
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