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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日：2023-07-27
公开（公告）日：2025-01-28
公开（公告）号：CN119383981A
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，包括：衬底、绝缘介质层、底电极连接线和阻变核心图形，其中衬底中形成有第一底电极，绝缘介质层位于衬底上，底电极连接线纵向贯穿绝缘介质层，底电极连接线的部分下表面与第一底电极接触以进行电性连接，阻变核心图形位于底电极连接线上，底电极连接线的部分上表面与阻变核心图形接触以进行电性连接；本发明中将阻变核心图形和第一底电极沿纵向错位设置，以增加阻变核心图形与第一底电极之间的电连接长度，增加电连接长度实现增加阻变存储器的串联电阻，在阻变存储器处于低阻操作状态时，增加的串联电阻起到分压作用，能够防止阻变存储器发生过载击穿。
专利权项：1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有第一底电极；绝缘介质层，位于所述衬底上；底电极连接线，纵向贯穿所述绝缘介质层，所述底电极连接线的部分下表面与所述第一底电极接触以进行电性连接；阻变核心图形，位于所述底电极连接线上，所述底电极连接线的部分上表面与所述阻变核心图形接触以进行电性连接；其中，所述阻变核心图形和所述第一底电极沿纵向错位设置，以增加所述阻变核心图形与所述第一底电极之间的电连接长度。
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 阻变存储器及其制备方法
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