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申请/专利权人：咸阳陶瓷研究设计院有限公司
申请日：2024-12-12
公开（公告）日：2025-02-07
公开（公告）号：CN119390451A
专利技术分类：...以碳化硅为基料的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种陶瓷过滤器的制备工艺，包括以下步骤：S1：按重量份数称取如下组分的原料：碳化硅颗粒80‑95份，碳化硅粉体5‑15份，添加剂1‑5份，结合剂10‑15份；S2：将S1中称取的物料进行研磨得到混合料A；S3：将S2中得到的混合料A放入搅拌机中，加入结合剂，搅拌后得到颗粒料B；S4：将S3中得到的颗粒料B进行制坯得到多孔半干坯体C；S5：将S4中得到的多孔半干坯体C烘干得到干燥坯体D；S6：将S5中得到的干燥坯体D进行烧结。本发明提供的陶瓷过滤器的制备工艺相对简单，易于工业化，制出的产品孔隙率高、强度高、耐冲刷、使用寿命长。并且陶瓷过滤器的主要材质为碳化硅及其复合材料，不污染，不与铝液反应，使用过程中不易破碎。
专利权项：1.一种陶瓷过滤器的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：按重量份数称取如下组分的原料：碳化硅颗粒80-95份，碳化硅粉体5-15份，添加剂1-5份，结合剂10-15份；S2：将S1中称取的碳化硅颗粒和碳化硅粉体以及添加剂进行研磨、混合后得到混合料A；S3：将S2中得到的混合料A放入搅拌机中，然后加入结合剂，搅拌混合均匀后得到颗粒料B；S4：将S3中得到的颗粒料B置于过滤器模具中，用捣打成型法压制，得到多孔半干坯体C；S5：将S4中得到的多孔半干坯体C放入100-170℃的烘箱中烘干，得到干燥坯体D；S6：将S5中得到的干燥坯体D置于CVD炉中进行烧结，烧结时以40-120℃h的速率升温至1050-1250℃，保温1-3h，再继续以40-120℃h的速率升温至1400-1500℃，再保温2-3h即可，烧结完成后自然冷却至室温，即得到所述陶瓷过滤器。
百度查询： 咸阳陶瓷研究设计院有限公司 陶瓷过滤器的制备工艺
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