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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2025-01-02
公开（公告）日：2025-02-07
公开（公告）号：CN119400686A
专利技术分类：.半导体器件或其部件的制造或处理[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种半导体器件制备方法及半导体器件，涉及半导体器件制备技术领域。半导体器件制备方法包括：在衬底上形成第一外延层；通过标记掩膜板在第一外延层上形成第一对准标记；利用第一对准标记使器件掩膜板与曝光单元对准，通过器件掩膜板在曝光单元内的第一外延层上形成预设结构；在第一外延层上形成第二外延层；利用标记掩膜板在第二外延层上形成第二对准标记，第二对准标记与第一对准标记间间隔器件单元整数倍距离；在将器件掩膜板上的对准标记图案与第二对准标记对准后，驱使器件掩膜板移动器件单元整数倍距离，并通过器件掩膜板在曝光单元内的第二外延层上形成预设结构。本申请只需要一张标记掩膜板，有效减少标记掩膜板的数量。
专利权项：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一外延层；提供标记掩膜板，通过所述标记掩膜板在所述第一外延层上形成第一对准标记，所述第一对准标记位于预设曝光单元内；提供器件掩膜板，利用所述第一对准标记使所述器件掩膜板与所述曝光单元对准，并通过所述器件掩膜板在所述曝光单元内的所述第一外延层上形成预设结构；在所述第一外延层上形成第二外延层；利用所述标记掩膜板在所述第二外延层上形成第二对准标记，所述第二对准标记位于所述曝光单元内，所述第二对准标记与所述第一对准标记间间隔器件单元整数倍距离；在将所述器件掩膜板上的对准标记图案与所述第二对准标记对准后，驱使所述器件掩膜板移动所述器件单元整数倍距离，以使所述器件掩膜板与所述曝光单元对准，并通过所述器件掩膜板在所述曝光单元内的所述第二外延层上形成预设结构。
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件制备方法及半导体器件
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