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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2023-08-17
公开（公告）日：2025-02-21
公开（公告）号：CN119491210A
专利技术分类：..辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种用于EUV反射薄膜的沉积腔室及薄膜沉积设备，涉及半导体工艺设备领域，以解决薄膜沉积工作中无法实现对大面积样片的覆盖均匀性问题。沉积腔室包括：腔体设有进样口，用于将待加工样片放入腔体内；样品台设于腔体内的底部，样品台用于放置待加工样片；顶盖设于腔体顶部；红外灯组设于顶盖，包括多个并列排布的红外灯，红外灯组在样品台的投影区域覆盖样品台的承载面，红外灯组用于对样品台承载面所在区域进行加热。将加工样片由进样口放入腔体，封闭顶盖并将腔体内抽至真空后，红外灯组开启对样片加热，当完成对腔室内沉积源在样片表面的覆盖薄膜的退火处理后，关闭红外灯组，如此重复多次，实现对样片表面薄膜沉积的覆盖均匀性。
专利权项：1.一种用于EUV反射薄膜的沉积腔室，其特征在于，包括：腔体，设置有进样口，所述进样口用于将待加工样片放入所述腔体内；样品台，设置于所述腔体内的底部，所述样品台用于放置待加工样片；顶盖，设置于所述腔体的顶部；红外灯组，设置于所述顶盖，所述红外灯组包括多个并列排布的红外灯，所述红外灯组在所述样品台上的投影区域覆盖所述样品台的承载面，所述红外灯组用于对所述样品台的承载面所在区域进行加热。
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种用于EUV反射薄膜的沉积腔室及薄膜沉积设备
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