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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利化合物半导体器件射频热分布测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114487747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049613.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权化合物半导体器件射频热分布测试系统是由邵国键;林罡;孙军;陈韬;刘柱;陈堂胜设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本化合物半导体器件射频热分布测试系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种化合物半导体器件射频热分布测试系统，包括信号源、耦合器、隔离器、热台、负载调节器和红外热像仪；器件设在热台上，采用热台设置固定的环境温度；红外热像仪采集器件未加微波激励信号和直流激励信号时的背景热辐射信号；为器件加直流激励信号使得器件工作在导通或者夹断的工作状态；信号源通过耦合器和隔离器与器件的射频输入端连接，提供微波激励信号；负载调节器与器件的射频输出端连接，调节射频输出端微波信号的驻波比和相位，从而改变器件的热辐射信号；红外热像仪实时采集器件的热辐射信号，生成器件工作状态下的射频热分布图，采用本发明的系统能够更容易掌握器件功率分布随工作环境变化的演化机制。

本发明授权化合物半导体器件射频热分布测试系统在权利要求书中公布了：1.化合物半导体器件射频热分布测试系统，其特征在于，包括信号源、耦合器、隔离器、热台、负载调节器和红外热像仪；化合物半导体器件设在热台上，采用热台设置固定的环境温度；采用红外热像仪采集化合物半导体器件未加微波激励信号和直流激励信号时的背景热辐射信号；然后为化合物半导体器件加直流激励信号使得化合物半导体器件工作在导通或者夹断的工作状态；根据化合物半导体器件的工作状态，调整信号源，所述信号源通过耦合器和隔离器与化合物半导体器件的射频输入端连接，为化合物半导体器件提供微波激励信号；所述负载调节器与化合物半导体器件的射频输出端连接，调节射频输出端输出的微波信号的驻波比和相位，从而改变化合物半导体器件的热辐射信号；所述红外热像仪实时采集化合物半导体器件的热辐射信号，并根据采集的背景热辐射信号和实时采集的热辐射信号，生成化合物半导体器件工作状态下的射频热分布图；该系统还包括第一衰减器，第二衰减器，第一功率计和第二功率计；所述耦合器通过第一衰减器与第一功率计连接；所述负载调节器通过第二衰减器与第二功率计连接；所述第一衰减器将耦合器输出的微波激励信号衰减至第一功率计能够监测的范围，所述负载调节器将化合物半导体器件射频输出端输出的信号传送至第二衰减器，所述第二衰减器将信号衰减至第二功率计能够监测的范围；并根据第一功率计和第二功率计监测值之间的差值判断半导体化合物的工作状态是否正常；为化合物半导体器件加直流激励信号时，源极接地，采用栅极直流电源连接化合物半导体器件的栅极，采用漏极直流电源连接化合物半导体器件的漏极，从而使得化合物半导体器件工作在导通或者夹断的工作状态。

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