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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111545999.4，技术领域涉及：H10F39/15；该发明授权具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法是由杨洪;白雪平;李金;周亚军;何昌海设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法，包括在硅衬底材料的水平CCD区域、哑元区域和输出放大器区域进行硼离子注入工艺和推结，形成深结高掺杂浓度的第一p阱；在硅衬底材料的光敏区区域和存储区区域进行硼离子注入和推结形成第二p阱；对存储区区域的第二p阱进行硼离子注入，形成第三p阱；在硅衬底材料上制作帧转移CCD。本发明中，通过在N型硅衬底材料上的不同区域分别制作p阱结构，能够使帧转移CCD各区域的p阱的掺杂浓度和结深均不相同，从而使帧转移CCD的各区域拥有不同的耗尽电压，能够根据应用需求单独优化光敏区、存储区、水平CCD以及输出放大器等区域的掺杂分布，从而便于提升器件性能。

本发明授权具有多p阱结构的帧转移CCD及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多p阱结构的帧转移CCD制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取一用于制作帧转移CCD的N型硅衬底材料；S2、在硅衬底材料的水平CCD区域、哑元区域和输出放大器区域进行硼离子注入工艺形成高掺杂浓度的第一p阱；S3、采用推结工艺对第一p阱进行推结，形成深结高掺杂浓度的第一p阱；S4、在硅衬底材料的光敏区区域和存储区区域进行硼离子注入工艺形成贯穿光敏区区域和存储区区域的第二p阱；所述第二p阱的掺杂浓度小于第一p阱；S5、将硅衬底材料放入高温环境下进行推结工艺对第二p阱进行推结，同步对第一p阱进行再推结，所述第二p阱的结深小于第一p阱；S6、对存储区区域的第二p阱进行硼离子注入，形成贯穿存储区区域的第三p阱；所述第三p阱的掺杂浓度大于第二p阱，所述第三p阱的结深小于第二p阱；S7、在硅衬底材料上制作帧转移CCD。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十四研究所，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。