恭喜荣芯半导体(淮安)有限公司肖莉红获国家专利权
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龙图腾网恭喜荣芯半导体(淮安)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833962.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置是由肖莉红;吴胜武设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底中形成有体区和漂移区；在衬底的表面上形成掩膜层；图案化掩膜层以露出部分漂移区，并刻蚀衬底以在漂移区内形成沟槽；形成场氧化层，场氧化层填充沟槽，场氧化层的顶面高于衬底的表面；去除部分掩膜层使剩余的掩膜层用作栅介质层，栅介质层覆盖部分体区和部分漂移区的表面，并且栅介质层的一侧壁接触场氧化层；形成栅电极层，栅电极层覆盖栅介质层和部分场氧化层的顶面，其中，栅介质层和栅电极层构成栅极结构。本发明形成掩膜层，再以掩膜层为掩膜在沟槽中形成场氧化层，能够有效抑制鸟嘴效应，减少了场氧化层的鸟嘴区的宽度，提高了器件性能。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有自所述衬底的表面延伸至所述衬底中的体区和漂移区，所述漂移区具有第一导电类型，所述体区具有第二导电类型；在所述衬底的表面上形成掩膜层；图案化所述掩膜层以露出部分所述漂移区，并刻蚀所述衬底以在所述漂移区内形成沟槽；形成场氧化层，所述场氧化层填充所述沟槽，其中，所述场氧化层的顶面高于所述衬底的表面；去除部分所述掩膜层使剩余的所述掩膜层用作栅介质层，所述栅介质层覆盖部分所述体区和部分所述漂移区的表面，并且所述栅介质层的一侧壁接触所述场氧化层；形成栅电极层，所述栅电极层覆盖所述栅介质层和部分所述场氧化层的顶面，其中，所述栅介质层和所述栅电极层构成栅极结构。
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