恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴志伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置制造中的移位控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911394504.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体装置制造中的移位控制方法是由吴志伟;施应庆;邹贤儒设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置制造中的移位控制方法在说明书摘要公布了：一种在半导体装置制造中的移位控制方法包括至少以下步骤。确定半导体管芯的第一目标与所述半导体管芯的第二目标的叠对偏移，其中所述第二目标设置在所述第一目标上。将所述半导体管芯放置在载体之上，其中放置所述半导体管芯包括反馈所述叠对偏移以得到对所述半导体管芯的位置控制。对所述半导体管芯进行后处理以形成半导体装置。还提供其他在半导体装置制造中的移位控制方法。
本发明授权半导体装置制造中的移位控制方法在权利要求书中公布了：1.一种在半导体装置制造中的移位控制方法，包括：确定半导体管芯的第一目标与所述半导体管芯的第二目标的叠对偏移，其中所述第二目标设置在所述第一目标上；将所述半导体管芯放置在载体之上，其中放置所述半导体管芯包括反馈所述叠对偏移以得到对所述半导体管芯的位置控制；以及对所述半导体管芯进行后处理以形成半导体装置，包括：在所述载体上形成绝缘包封体以包封所述半导体管芯，其中在形成所述绝缘包封体之后，所述半导体管芯在所述载体上的位置发生移位；以及在形成所述绝缘包封体之后测量所述半导体管芯的位移。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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