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龙图腾网恭喜旭矽半导体(上海)有限公司申请的专利一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510068198.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法是由尹储;朱洋洋;张朝阳;陈桥梁;徐西昌设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开了一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法，该碳化硅沟槽型功率器件的外延结构上设有源极沟槽；源极沟槽内设有低介电常数材料作为器件的源极与所述外延结构的接触区域。在器件反向耐压时，低介电常数材料所在的区域可以先于栅极达到电场峰值，形成电场屏蔽区域，从而达到保护器件栅氧的目的。并且，由于低介电常数材料的介电强度更大，因此器件反向耐压的时候，能有更高的击穿场强，从而提高碳化硅沟槽型功率器件的耐压能力，减小了反向耐压下的漏电，提高了器件长期工作的可靠性。

本发明授权一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽型功率器件，其特征在于，所述碳化硅沟槽型功率器件的外延结构上设有源极沟槽；所述源极沟槽内设有低介电常数材料作为器件的源极与所述外延结构的接触区域；所述碳化硅沟槽型功率器件的栅极沟槽位于所述外延结构的中心；所述外延结构的两端均设有一个所述源极沟槽；所述源极沟槽包括上部和下部；其中，下部的所述源极沟槽比上部的所述源极沟槽更宽且更靠近所述外延结构的中心；所述外延结构为N-外延层；所述碳化硅沟槽型功率器件，包括：N+衬底；N-外延层，叠加于所述N+衬底上，所述N-外延层的中心设有所述栅极沟槽、两端分别设有一个所述源极沟槽；所述源极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度；在所述栅极沟槽和每个所述源极沟槽之间的N-外延层上，沿沟槽深度方向依次设有N+区和P型区；第一氧化物介质层，位于所述栅极沟槽的底部和侧壁；低介电常数材料，分别位于两个所述源极沟槽内，并与相邻的P型区相接触；所述低介电常数材料为介电常数低于3.9的材料；栅极，位于所述栅极沟槽中；第二氧化物介质层，覆盖两个所述N+区和所述栅极；源极，覆盖所述第二氧化物介质层，并与两个所述源极沟槽内的低介电常数材料相接触。

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