恭喜慷智集成电路(上海)有限公司沈勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜慷智集成电路(上海)有限公司申请的专利一种自偏置LVDS驱动电路、串行电路芯片及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119154854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411233845.5,技术领域涉及:H03K17/567;该发明授权一种自偏置LVDS驱动电路、串行电路芯片及电子设备是由沈勇;刘昕昱;汪兴强设计研发完成,并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自偏置LVDS驱动电路、串行电路芯片及电子设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种自偏置LVDS驱动电路、串行电路芯片及电子设备,涉及半导体电路技术领域,该自偏置LVDS驱动电路包括电流源模块、发送器模块和共模反馈电路模块,通过并联晶体管构建共模反馈电路,提取共模电压并通过传输门输入并联晶体管栅极,当共模电压发生变化时,并联晶体管的栅极电压随之发生变化,并联晶体管导通电阻也随之发生变化,从而实现负反馈控制共模电压,最终实现了对共模电压的钳位,同时,通过改变并联晶体管导通数量可以实现控制范围的自主调节。本发明无需使用放大器与补偿电容设计共模反馈电路,可以有效避免环路稳定性问题,同时减小面积降低功耗。
本发明授权一种自偏置LVDS驱动电路、串行电路芯片及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种自偏置LVDS驱动电路,其特征在于,包括:电流源模块、发送器模块和共模反馈电路模块;所述电流源模块的第一端接入外部偏置电流,所述电流源模块的第二端连接所述发送器模块的第一端,所述发送器模块的第二端接入一路反向差分信号,所述发送器模块的第三端接入一路正向差分信号,所述发送器模块的第五端输出反向差分信号,所述发送器模块的第六端输出正向差分信号,所述发送器模块的第四端连接所述共模反馈电路模块的第一端,所述共模反馈电路模块的第二端连接所述发送器模块的第五端,所述共模反馈电路模块的第三端连接所述发送器模块的第六端;所述电流源模块用于为所述发送器模块和所述共模反馈电路模块提供驱动电流;所述发送器模块通过驱动电流将接入的正向差分信号和反向差分信号发送给下游接收器;所述共模反馈电路模块用于反馈调节共模电压;所述电流源模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;所述第一晶体管的第一端接入外部偏置电流,所述第一晶体管的第二端连接所述第一晶体管的第一端以及所述第二晶体管的第二端,所述第一晶体管的第三端接地,所述第二晶体管的第三端接地,所述第二晶体管的第一端连接所述第三晶体管的第一端,所述第三晶体管的第二端连接所述第三晶体管的第一端以及第四晶体管的第二端,所述第三晶体管的第三端接电源,所述第四晶体管的第三端接电源,所述第四晶体管的第一端连接所述发送器模块的第一端;所述发送器模块包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管;所述第五晶体管的第三端连接所述电流源模块的第二端,所述第五晶体管的第二端连接所述第七晶体管的第二端,并接入一路反向差分信号,所述第五晶体管的第一端连接所述第七晶体管的第一端,并输出正向差分信号,所述第六晶体管的第三端连接所述电流源模块的第二端,所述第六晶体管的第二端连接所述第八晶体管的第二端,并接入一路正向差分信号,所述第六晶体管的第一端连接所述第八晶体管的第一端,并输出反向差分信号,所述第七晶体管的第三端和所述第八晶体管的第三端连接所述共模反馈电路模块的第一端;所述共模反馈电路模块包括第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第一传输门、第二传输门、第三传输门、第一电阻和第二电阻;所述第九晶体管的第一端连接所述发送器模块的第四端,所述第九晶体管的第二端连接第一传输门的第二端,所述第九晶体管的第三端接地,所述第一传输门的第一端连接所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端,所述第十晶体管的第一端连接所述发送器模块的第四端,所述第十晶体管的第二端连接所述第二传输门的第二端,所述第十晶体管的第三端接地,所述第二传输门的第一端连接所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端,所述第十一晶体管的第一端连接所述发送器模块的第四端,所述第十一晶体管的第二端连接所述第三传输门的第二端,所述第十一晶体管的第三端接地,所述第三传输门的第一端连接所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第二端,所述第一电阻的第一端连接所述发送器模块的第六端,所述第二电阻的第一端连接所述发送器模块的第五端;所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS管,所述第三晶体管和所述第四晶体管均为PMOS管;所述第一晶体管的和所述第二晶体管的第一端均为NMOS管的漏极、第二端均为NMOS管的栅极以及第三端均为NMOS管的源极,所述第三晶体管和所述第四晶体管的第一端均为PMOS管的漏极、第二端均为PMOS管的栅极以及第三端均为PMOS管的源极;所述第五晶体管和所述第六晶体管均为PMOS管,所述第七晶体管和所述第八晶体管均为NMOS管;所述第五晶体管和所述第六晶体管的第一端均为PMOS管的漏极、第二端均为PMOS管的栅极以及第三端均为PMOS管的源极,所述第七晶体管和所述第八晶体管的第一端均为NMOS管的漏极、第二端均为NMOS管的栅极以及第三端均为NMOS管的源极;所述第九晶体管、所述第十晶体管和所述第十一晶体管均为NMOS管,所述第九晶体管、所述第十晶体管和所述第十一晶体管的第一端均为NMOS管的漏极、第二端均为NMOS管的栅极以及第三端均为NMOS管的源极;所述第一传输门、所述第二传输门和所述第三传输门均由CMOS传输门和内部NMOS管构成,其中,所述CMOS传输门的输出端连接所述内部NMOS管的漏极,所述内部NMOS管的栅极连接所述CMOS传输门的低电平有效端,所述内部NMOS管的源极接地;所述第一传输门、所述第二传输门和所述第三传输门的第一端均为所述CMOS传输门的输入端、第二端均为所述CMOS传输门的输出端。
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