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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411759891.9，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权一种具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法是由叶建东;许轲;万昌锦;雒玉蓉;李展华;任芳芳;顾书林;张荣设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有κ‑Ga2O3Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法。本发明的负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底，GaN缓冲层，UID‑GaN沟道层，Al0.25Ga0.75N势垒层，以及设置在Al0.25Ga0.75N势垒层上的源电极、漏电极和栅极，以及设置在栅极和Al0.25Ga0.75N势垒层之间的κ‑Ga2O3Al2O3复合铁电介质层。本发明的负电容晶体管能够实现易失性与非易失性存储的结合，从而在保证高速数据处理能力的同时，提高系统的稳定性与断电后的数据保存可靠性，为全储备池的应用提供高效的数据管理支持。

本发明授权一种具有κ-Ga₂O₃/Al₂O₃复合铁电介质层的负电容晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有κ-Ga2O3Al2O3复合铁电介质层的负电容晶体管，所述负电容晶体管包括从下至上依次设置的衬底（1），GaN缓冲层（2），UID-GaN沟道层（3），Al0.25Ga0.75N势垒层（4），和划定在Al0.25Ga0.75N势垒层（4）表面的源电极区域、漏电极区域以及栅极区域，以及设置在源电极区域的源电极（5）、设置在漏电极区域的漏电极（6）和设置在栅极区域的栅极（7）；所述UID-GaN沟道层（3）与Al0.25Ga0.75N势垒层（4）的接触面形成二维电子气沟道2DEG；其特征在于：所述负电容晶体管还包括设置在栅极（7）和Al0.25Ga0.75N势垒层（4）之间的κ-Ga2O3Al2O3复合铁电介质层（8）；所述κ-Ga2O3Al2O3复合铁电介质层（8）包括从下至上依次设置在Al0.25Ga0.75N势垒层（4）表面的κ-Ga2O3铁电层（9）和Al2O3绝缘层（10），所述κ-Ga2O3铁电层（9）的材质为κ-Ga2O3，所述Al2O3绝缘层（10）的材质为Al2O3。

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