恭喜山西创芯光电科技有限公司张竟获国家专利权
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龙图腾网恭喜山西创芯光电科技有限公司申请的专利一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510138011.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法是由张竟;张培峰;苏莹;王慧云;李水利;王书浩设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法，属于红外探测器制备技术领域；包括以下步骤：首先在衬底上方依次均匀生长缓冲层和第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上方生长绝缘的定义层；定义层生长完成后，在定义层上方位置吸附一张Mask，Mask的开孔位置即为定义层限定的台面范围；根据需要依次生长相应的膜层；生长钝化层；后续按照常规工艺进行钝化开孔、金电极、铟电极、倒装互联得到红外探测器；本发明可以避免台面刻蚀，进而避免干法刻蚀和湿法刻蚀带来的材料损伤，进而提高器件性能。
本发明授权一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种优化台面制作的Ⅱ类超晶格红外探测器制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）首先在衬底上方依次均匀生长缓冲层和第一欧姆接触层；2）在第一欧姆接触层上方生长绝缘的定义层；所述定义层用于确定台面生长的范围，所述定义层设置有开孔，定义层开孔的位置即为台面生长的范围；3）定义层生长完成后，在定义层上方位置吸附一张Mask，Mask的开孔位置即为定义层限定的台面范围；4）根据需要在Mask的开孔中依次生长M型势垒层、吸收区、第二欧姆接触层和盖层；5）生长钝化层；6）后续按照常规工艺进行钝化开孔、金电极、铟电极、倒装互联得到红外探测器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西创芯光电科技有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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