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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119518421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510081285.4，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法是由王新强;马文结;李鸿渐;袁泽兴;郭昱成;刘放设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法。本发明利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列，每一个脊图案阵列具有多个不同的脊，每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；由有效折射率设计脊图案阵列，脊的宽度和形状影响有效折射率，对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的带隙，进而调节激射波长，以实现单晶圆衬底上波长可调谐的AlGaN基激光二极管；本发明能够实现较短的激射波长的精细调控，方法简单易控制，显著降低了生产时间和生长成本，在激射波长可调控的激光二极管领域具有广泛应用。

本发明授权一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1）将单晶圆衬底放置在外延设备的生长腔内，在单晶圆衬底的上表面生长AlN缓冲层；2）在AlN缓冲层的上表面通过温度渐变结合Ga源和Al源流量渐变的方式，生长厚度为微米级的AlGaN薄膜层；在生长的过程中，进行多周期循环生长，在每一个生长周期中，温度逐渐由低变到高，同时Ga源逐渐减少而Al源逐渐增加，多次周期循环，从而获得AlGaN薄膜层；3）在AlGaN薄膜层的上表面生长多周期的超晶格薄膜层，以释放底层的应力，减少表面裂纹；4）在超晶格薄膜层的上表面依次生长n型包覆层、n型波导层、原子级超薄量子阱发光层、p型波导层、p型包覆层和p型GaN层，获得AlGaN基激光二极管外延片；5）设计原子级超薄量子阱发光层的有效折射率：根据激射波长设定有效折射率，由有效折射率设计脊；有效折射率与脊的宽度和形状有关，脊的宽度和形状对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的带隙，进而调节激射波长；6）制备脊图案阵列：利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列；每个脊图案阵列包括形成在端面上的多个沿宽度方向一维排列的脊，各个脊具有不同的宽度和或形状；脊宽度所在的侧面作为激光二极管的出光面，脊长度所在的两个侧面作为谐振腔；刻蚀深度超过原子级超薄量子阱发光层，且不超过超晶格薄膜层的上表面；每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，在每一个脊图案阵列中，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；7）在脊的上表面和端面的上表面分别制作p型电极和n型电极，将正面具有二维排列的脊图案阵列的AlGaN基激光二极管外延片清洗干净后，从单晶圆衬底背面进行切割，获得AlGaN基激光二极管芯片；8）将AlGaN基激光二极管芯片放置在光学平台的样品位置，接入泵浦源，收集激光信号，测试具有脊图案阵列的激光二极管芯片的各个不同的激射波长。

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