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龙图腾网恭喜湖北三安光电有限公司申请的专利一种微发光二极管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210562398.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种微发光二极管外延结构及其制备方法是由李水清;杜伟华;赖昭序;邓和清设计研发完成，并于2020-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微发光二极管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种微LED外延结构，该外延结构至少包括N型层、发光层、P型层。其中发光层包括n个周期的量子阱结构，每一个周期的量子阱结构包括阱层和势垒层，其中n1个周期的量子阱结构定义为第一发光区，n2个周期的量子阱结构定义为第二发光区，n1和n2大于等于1，且n1+n2小于等于n，第一发光区比第二发光区更接近N型层，两组发光区势垒层材料的平均带隙满足以下条件：第一发光区小于第二发光区；两组发光区阱层材料的平均带隙满足以下条件：第一发光区大于等于第二发光区。利用该外延结构制备的微LED，可实现峰值光电转换效率对应电流密度低于1Acm2，且光电转换效率提升约30%。

本发明授权一种微发光二极管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微LED外延结构：该外延结构至少包括N型层、发光层、P型层，其中发光层包括n个周期的量子阱结构，每一个周期的量子阱结构包括阱层和势垒层，其中n1个周期的量子阱结构定义为第一发光区，n2个周期的量子阱结构定义为第二发光区，n1和n2大于等于1，且n1+n2小于等于n，第一发光区比第二发光区更接近N型层；所述第二发光区每一周期的量子阱结构至少包含第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层、阱层、第四势垒层，其中第二势垒层位于第一势垒层和第三势垒层之间，第四势垒层位于阱层之后，在第二发光区内，每一量子阱结构的第二势垒层材料的平均Al组分百分含量大于第一势垒层、第三势垒层材料的平均Al组分百分含量，第四势垒层的平均Al组分百分含量大于第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层材料的平均Al组分百分含量。

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