恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利LED外延片、制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210102726.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权LED外延片、制备方法及半导体器件是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED外延片、制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED外延片的制备方法，包括：S1、提供一衬底；S2、在衬底上生长氮化物缓冲层；S3、在氮化物缓冲层上生长非掺杂氮化物层；S4、在非掺杂氮化物成上生长n型氮化物层；S5、在n型氮化物层上生长插入层单元，插入层单元包括依次生长的前置氮化物插入层、氧化物插入层和后置氮化物插入层；S6、在插入层单元上生长量子阱发光层；S7、在量子阱发光层上生长p型层。本发明的LED外延片的制备方法通过氧化物插入层的高势垒对电子减速，缓冲电子对发光层的注入，降低电子越过发光层对p型层空穴的复合，改善大电流下droop效应，同时经过氧化物插入层电子扩散更加均匀，改善发光层电子分布均匀性，提高发光效率，改善外延光电均匀一致性。
本发明授权LED外延片、制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一衬底；S2、在所述衬底上生长氮化物缓冲层；S3、在所述氮化物缓冲层上生长非掺杂氮化物层；S4、在所述非掺杂氮化物成上生长n型氮化物层；S5、在所述n型氮化物层上生长插入层单元，所述插入层单元包括依次生长的前置氮化物插入层、氧化物插入层和后置氮化物插入层，其中，所述氧化物插入层为Ga2O3，所述氧化物插入层的厚度为1～10nm；S6、在所述插入层单元上生长量子阱发光层；S7、在所述量子阱发光层上生长p型层。
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