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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510273245.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体结构的制作方法是由马亚强;周纪;冯孔孔;苏圣哲;罗钦贤设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，包括提供基底、形成多个相互分隔设置的栅极结构位于所述基底上以及位于其两侧侧壁上的间隙壁，其中，所述间隙壁和所述基底的表面包括至少含有氢元素、氧元素和硅元素的官能团，对所述间隙壁的表层及其两侧的所述基底的表层进行预处理，以使所述间隙壁的表层所包含的官能团数量与位于其两侧的所述基底的表层所包含的官能团的数量之差处于误差范围内，即通过减少和或增加间隙壁的表层及其两侧的基底的表层中所含官能团的数量，调整间隙壁的表层及其两侧的基底的表层上官能团的分布密度，提高过渡氧化层的阶梯覆盖率和沉积速率。

本发明授权一种半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；形成多个相互分隔设置的栅极结构位于所述基底上；形成间隙壁位于所述栅极结构的侧壁上，所述间隙壁和所述基底的表面包括至少含有氢元素、氧元素和硅元素的官能团及悬挂键；对所述间隙壁的表层及其两侧的所述基底的表层进行预处理，以使所述间隙壁的表层所包含的官能团及悬挂键的数量与位于其两侧的所述基底的表层所包含的官能团及悬挂键的数量之差处于误差范围内；其中，对所述间隙壁的表层及其两侧的所述基底的表层进行预处理的步骤，包括：通入第一气体轰击所述间隙壁的两侧的所述基底的表层，以打断所述基底的表层中的所述官能团中所述氢元素和所述硅元素之间的化学键，并使得形成的含氢悬挂键与其余所述悬挂键结合，以降低所述基底的表层中的所述官能团的氢键数量；通入第二气体轰击所述间隙壁的表层，以打断所述间隙壁的表层中的所述官能团中所述氢元素和所述硅元素之间的化学键，并使得形成的含氢悬挂键与其余所述悬挂键结合，以降低所述间隙壁的表层中的所述官能团的氢键数量；其中，所述第一气体与所述基底的表层之间具有第一轰击距离，所述第二气体与所述间隙壁的表层之间具有第二轰击距离，所述第一轰击距离小于所述第二轰击距离。

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