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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利晶闸管缺陷单元的修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510416717.2，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权晶闸管缺陷单元的修复方法是由刘瑞;李玲;孙宁飞;王耀华;唐新灵;魏晓光;吴沛飞;焦倩倩设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶闸管缺陷单元的修复方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶闸管缺陷单元的修复方法，包括：提供表面形成有晶闸管的晶圆，在晶闸管背离晶圆的第一表面覆盖功能层，功能层的材料包括低熔点金属材料，第一表面为晶闸管的具有阴极电极的一侧表面；对晶闸管进行目标条件下的测试，使晶闸管中的晶闸管缺陷单元发热，晶闸管缺陷单元为晶闸管中的至少一个晶闸管单元的阴极电极，功能层中接触晶闸管缺陷单元的部分与晶闸管缺陷单元合金化并产生凹陷，目标条件包括：晶闸管的阳极和阴极处于反偏状态下产生的漏电流达到预设值；去除晶闸管缺陷单元和剩余的功能层。本申请的部分功能层与晶闸管缺陷单元发生合金化，以物理剔除的方式即可完全去除其电极，避免了金属残留，提升了晶闸管的修复效果。

本发明授权晶闸管缺陷单元的修复方法在权利要求书中公布了：1.一种晶闸管缺陷单元的修复方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供表面形成有晶闸管的晶圆，并在所述晶闸管背离所述晶圆的第一表面覆盖功能层，所述功能层的材料包括低熔点金属材料，所述第一表面为所述晶闸管的具有阴极电极的一侧表面； 对所述晶闸管进行目标条件下的测试，使所述晶闸管中的晶闸管缺陷单元发热，其中，所述晶闸管缺陷单元为所述晶闸管中的至少一个晶闸管单元的阴极电极，所述功能层的与所述晶闸管缺陷单元对应的部分背离的一侧表面产生凹陷，且所述功能层中接触所述晶闸管缺陷单元的部分与所述晶闸管缺陷单元合金化，所述目标条件包括：所述晶闸管的阳极和阴极处于反偏状态下产生的漏电流达到预设值； 去除剩余的所述功能层和所述晶闸管缺陷单元。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。