恭喜美新半导体(天津)有限公司凌方舟获国家专利权
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龙图腾网恭喜美新半导体(天津)有限公司申请的专利传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112429698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011378399.9,技术领域涉及:B81B7/02;该发明授权传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法是由凌方舟;刘尧;蒋乐跃;储莉玲设计研发完成,并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法,传感器芯片为集成热式加速度和红外传感器的单芯片,其包括第一晶圆部,第一晶圆部包括:第一衬底;第一腔体,其设置于第一衬底中,第一腔体内密封有填充气体,填充气体为对特定红外光谱不吸收或者吸收较少的气体;悬桥式传感器结构,其设置于第一衬底的正面且与第一腔体相对,其可切换为加速度检测或红外检测模式;信号处理电路,其设置于第一衬底的正面,其用于对悬桥式传感器结构产生的传感信号进行处理。与现有技术相比,本发明共享相同的传感器结构,可以在加速度测量与红外温度探测之间切换,分别实现对加速度和温度的测量,从而提升集成度,降低芯片占用面积和使用成本。
本发明授权传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种集成热式加速度和红外传感器的单芯片,其特征在于,其包括第一晶圆部,所述第一晶圆部包括: 第一衬底; 第一腔体,其设置于所述第一衬底中,所述第一腔体内密封有填充气体,所述填充气体为对特定红外光谱不吸收或者吸收较少的气体; 悬桥式传感器结构,其设置于所述第一衬底的正面且与所述第一腔体相对,其可切换为加速度检测模式或红外检测模式,所述悬桥式传感器结构包括:支撑层,其位于所述第一衬底的正面且位于所述第一腔体上方;热电堆,其包括第一热电堆单元、第二热电堆单元、第三热电堆单元和第四热电堆单元,所述第一热电堆单元和第二热电堆单元设置于x轴方向,且分别位于所述第一腔体的相对的第一侧边和第二侧边,所述第三热电堆单元和第四热电堆单元设置于y轴方向,且分别位于所述第一腔体的相对的第三侧边和第四侧边,其中,x轴和y轴组成直角坐标系;加热器,其布置于所述悬桥式传感器结构的中部; 信号处理电路,其设置于所述第一衬底的正面,其用于对所述悬桥式传感器结构产生的传感信号进行处理; 当处于加速度检测模式时,对所述加热器施加电流以加热所述填充气体,所述信号处理电路基于第一热电堆单元和第二热电堆单元输出的电压信号的差值,获取在x轴方向的加速度;所述信号处理电路基于第三热电堆单元和第四热电堆单元输出的电压信号的差值,获取在y轴方向的加速度, 当处于红外温度检测模式时,关闭所述加热器,通过开关将第一热电堆单元、第二热电堆单元、第三热电堆单元和第四热电堆单元输出的电压信号串联起来,使所述热电堆输出总电压信号,所述信号处理电路基于所述热电堆输出的总电压信号,获取红外温度。
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