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申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明公开了一种可有效降低LED的Droop效应的外延结构，包括有从下至上依次层叠的衬底、不掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层由多个垒层AlxGa（1-x）N和阱层InyGa1-yN交替叠加而成。本发明采用Al组分渐变AlGaN做垒层，有效拉低电子阻挡层的价带与靠近电子阻挡层的垒层的势垒落差，进而提高了空穴的注入效率，同时通过增加多量子阱中的阱与垒的势垒高度差进一步增强阱对电子的束缚作用，有效的抑制了电子的溢出，从而增加电子与空穴在多量子阱中的复合几率，进而提高LED的发光效率；而且对于与现有技术，本发明结构相对简单，利于MOCVD进行生长。本发明作为一种可有效降低LED的Droop效应的外延结构可广泛应用于LED领域。
主权项：一种可有效降低LED的Droop效应的外延结构，其特征在于：包括有从下至上依次层叠的衬底、不掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层由多个垒层AlxGa（1‑x）N和阱层InyGa1‑yN交替叠加而成，其中x为垒层中Al的组分，其中y为阱层中In的组分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种可有效降低LED的Droop效应的外延结构
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