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申请/专利权人：广州一芯信息科技有限公司
申请日：2015-11-24
公开（公告）日：2018-04-06
公开（公告）号：CN105490646B
专利技术分类：.为扩展带宽对放大器的改进[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种共源共射共栅放大器，包括共源共射管、共栅管、输出负载及衬底偏置电路，共源共射管接收输入信号，共栅管发送输出信号并连接输出负载，该放大器具有一衬底端，衬底偏置电路连接衬底端。与现有技术相比，本发明实现了衬底独立偏置的共源共射共栅放大器电路，既消除了共栅器件的背栅效应而提高放大器增益，也避免了共栅器件源极和衬底直接相连而增加衬底到栅极的寄生电容Cgb，从而改善了放大器带宽和增益。此外，由于本发明引入了可重构偏置电路，从而在电路切换时，兼顾了信号处理通道的线性噪声杂散性能，在灵活性和复杂性之间达成了良好的平衡，在功耗和面积上有了显著改善。
专利权项：一种共源共栅放大器，包括第一NMOS管、第二NMOS管及输出负载，所述第一NMOS管的栅极接收输入信号，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极，所述第二NMOS管的漏极发送输出信号并连接所述输出负载，其特征在于：还包括衬底偏置电路，所述共源共栅放大器具有一衬底端，所述衬底偏置电路连接所述衬底端；所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极，且一第一偏置电压从所述第二NMOS管的栅极输入；所述衬底偏置电路包括第一电阻、第二电阻及源随器，所述第一电阻的一端连接所述第一NMOS管的栅极，所述第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接所述源随器，所述源随器连接所述第二NMOS管及所述输出负载，且一第二偏置电压通过所述第一电阻及第二电阻分别为所述共源共栅放大器的第一NMOS管及所述源随器的电流源提供偏置，所述源随器对所述第一偏置电压进行电平位移后以用作所述第二NMOS管的衬底偏置电压。
百度查询： 广州一芯信息科技有限公司 共源共栅放大器及共射共栅放大器
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