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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日：2014-01-21
公开（公告）日：2015-07-22
公开（公告）号：CN104795331A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅极结构，伪栅极结构包括：位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层；在衬底和伪栅极结构表面形成介质膜，介质膜的表面高于或齐平于伪栅极层的顶部表面；在形成介质膜之后，进行退火工艺，使介质膜致密；在退火工艺之后，平坦化介质膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面为止，形成介质层；在平坦化介质膜之后，采用离子注入工艺在介质层表面形成致密层；在离子注入工艺之后，去除伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在开口内形成栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层，栅极层的表面与介质层齐平。所形成的晶体管性能改善、形貌尺寸精确均匀。
专利权项：一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层；在所述衬底和伪栅极结构表面形成介质膜，所述介质膜的表面高于或齐平于所述伪栅极层的顶部表面；在形成介质膜之后，进行退火工艺，使所述介质膜致密；在所述退火工艺之后，平坦化所述介质膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面为止，形成介质层；在平坦化所述介质膜之后，采用离子注入工艺在所述介质层表面形成致密层；在离子注入工艺之后，去除伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在所述开口内形成栅介质层、以及位于所述栅介质层表面的栅极层，所述栅极层的表面与介质层齐平。
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 晶体管的形成方法
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