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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2009-10-26
公开（公告）日：2011-05-04
公开（公告）号：CN102043119A
专利技术分类：.电路的测试，例如用信号故障寻测器（在准备运算或空闲时间期间内测试计算机入G06F11/22）[2006.01]
专利摘要：本发明提供可一种崩应测试方法，该方法包括步骤：将待测试的芯片安装在老化测试板上，芯片管脚与老化测试板电性连通；将安装有芯片的老化测试板置于老化炉内，并使芯片的电源管脚与电源连接；开启老化炉对芯片加热，开启电源为芯片提供老化电压和测试电压，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量。本发明可以在老化的同时对直流参数进行实时测量，简化了测试过程，降低了成本。
专利权项：一种崩应测试方法，其特征在于，包括步骤：将待测试的芯片安装在老化测试板上，芯片管脚与老化测试板电性连通；将安装有芯片的老化测试板置于老化炉内，并使芯片的电源管脚与电源连接；开启老化炉对芯片加热，开启电源为芯片提供老化电压和测试电压，老化电压即测试电压，对芯片的电源管脚上的老化电压和在老化电压下的电流进行测量。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 崩应测试方法
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皖公网安备 34010402703815号