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申请/专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日：2011-08-26
公开（公告）日：2015-04-15
公开（公告）号：CN102953046B
专利技术分类：.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）[2006.01]
专利摘要：本发明提出一种化学气相沉积CVD反应腔，包括：反应腔室；多个托盘，所述多个托盘位于所述反应腔室之内，且所述多个托盘呈间隔排列；设置在所述反应腔室外壁的第一加热装置；和设置在所述反应腔室之内的第二加热装置，所述第二加热装置的加热功率小于所述第一加热装置的加热功率。本发明还提出一种CVD设备，所述CVD设备具有所述CVD反应腔。应用本发明的CVD设备能够使托盘表面温度更加均匀，从而达到MOCVD所需温度。另外，本发明设计简单，易于实现。
专利权项：一种化学气相沉积CVD反应腔，其特征在于，包括：反应腔室；多个托盘，所述多个托盘位于所述反应腔室之内，所述多个托盘具有中心通孔且所述多个托盘沿竖直方向呈间隔排列；设置在所述反应腔室外壁的第一加热装置，所述第一加热装置包括多个第一感应线圈，通过感应加热方式对所述多个托盘进行加热；进气装置，所述进气装置位于所述反应腔室中心轴处穿过所述中心通孔，且所述进气装置具有多个第一排气孔；设置在所述反应腔室之内且位于所述进气装置和所述多个托盘之间的第二加热装置，用于对所述多个托盘的中心位置进行温度补偿，所述第二加热装置的加热功率小于所述第一加热装置的加热功率。
百度查询： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 CVD反应腔及CVD设备
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