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申请/专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日：2013-07-22
公开（公告）日：2015-02-04
公开（公告）号：CN104332446A
专利技术分类：..按其材料或它的电性能区分的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，金属层包括2个第一IGBT芯片焊接区、2个第二IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于键合区的两侧，位于键合区一侧的IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，栅极引线键合区的顶端与第一IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，栅极引线键合区的底端与第二IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切。本发明的DBC基板兼容栅极在IGBT芯片中间位置和四角位置两种芯片。
专利权项：一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，所述的金属层包括2个第一IGBT芯片焊接区、2个第二IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，所述的第一IGBT芯片焊接区、第二IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于所述键合区的两侧，位于所述键合区一侧的第一IGBT芯片焊接区、第二IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，且第二IGBT芯片焊接区位于第一IGBT芯片焊接区和FRD芯片之间，其特征在于：所述的键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，所述的栅极引线键合区的顶端与所述第一IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，所述的栅极引线键合区的底端与第二IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切。
百度查询： 西安永电电气有限责任公司 DBC基板
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