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申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日：2016-08-04
公开（公告）日：2016-10-26
公开（公告）号：CN106057110A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公布了一种阵列测试电路，所述阵列测试电路包括扫描驱动、使能驱动、多个像素控制驱动、多个薄膜晶体管及多个像素电极，所述薄膜晶体管位于阵列基板的像素单元内并在液晶面板正常显示时按照系统驱动电路的控制调节像素电极的偏置电压，各所述薄膜晶体管的栅极均连接至所述使能驱动，所述使能驱动发送使能信号同时控制各所述薄膜晶体管的通断状态，各所述薄膜晶体管的漏极均连接至所述扫描驱动，每一个所述像素控制驱动的输入端均对应连接一个所述薄膜晶体管的源极，每一个所述像素控制驱动的输出端均对应连接一个所述像素电极。本发明节省显示面板边缘大量的布局空间，阵列测试时输入的信号数量少，简化了阵列测试的过程。
专利权项：一种阵列测试电路，其特征在于，所述阵列测试电路包括扫描驱动、使能驱动、多个像素控制驱动、多个薄膜晶体管及多个像素电极，所述薄膜晶体管位于阵列基板的像素单元内并在液晶面板正常显示时按照系统驱动电路的控制调节像素电极的偏置电压，各所述薄膜晶体管的栅极均连接至所述使能驱动，所述使能驱动发送使能信号同时控制各所述薄膜晶体管的通断状态，各所述薄膜晶体管的漏极均连接至所述扫描驱动，每一个所述像素控制驱动的输入端均对应连接一个所述薄膜晶体管的源极，每一个所述像素控制驱动的输出端均对应连接一个所述像素电极，测试状态时，所述扫描驱动发出的电压控制信号经过连通状态的各所述薄膜晶体管后到达与各所述薄膜晶体管对应连接的所述像素控制驱动，所述像素控制驱动按照电压控制信号调节与之对应连接的所述像素电极的偏置电压。
百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 阵列测试电路及阵列测试方法
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