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申请/专利权人：重庆西南集成电路设计有限责任公司
申请日：2013-11-11
公开（公告）日：2014-05-14
公开（公告）号：CN203596755U
专利技术分类：...应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的[2006.01]
专利摘要：本实用新型公开了高效RFID整流器及整流器单元，其特征在于：包括n级整流器单元，其特征在于：第一级整流器单元输出端接第二级整流器单元的输入端，第二级整流器单元的输出端连接第三级整流器单元的输入端；依次类推，第n-1级整流器单元输出端接第n级整流器单元的输入端；每级整流器单元的射频输入端均相连接；每级整流器单元均包括第一、第二自举电路、第四、第五整流场效应管、隔直电容和储能电容；第一、第二自举电路分别为第四、第五整流场效应管的栅极提供直流偏置；第四整流场效应管的衬底和第五整流场效应管的源极接整流器单元输出端，并通过储能电容接地；本实用新型有效提高RFID电子标签的灵敏度和通信距离，具有良好的应用前景。
专利权项：高效RFID整流器，包括n级整流器单元，n为大于等于1的自然数；其特征在于：第一级整流器单元（1）输出端接第二级整流器单元（2）的输入端，第二级整流器单元（2）的输出端连接第三级整流器单元（3）的输入端；依次类推，第n‑1级整流器单元（N‑1）输出端接第n级整流器单元（N）的输入端；每级整流器单元的射频输入端均相连接；并且，每级整流器单元均包括第一、第二自举电路、第四、第五整流场效应管、隔直电容（C5）和储能电容（C2）；第一、第二自举电路分别为第四、第五整流场效应管的栅极提供直流偏置；第四整流场效应管（M4）的衬底和第五整流场效应管（M5）的源极接整流器单元输出端（VDC／），并通过储能电容（C2）接地；第五整流场效应管（M5）的衬底和第四整流场效应管（M4）的源极接整流器单元输入端（Vi／）；第四、第五整流场效应管的漏极均通过隔直电容（C5）接整流器单元射频输入端（VRF／）。
百度查询： 重庆西南集成电路设计有限责任公司 高效RFID整流器及整流器单元
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