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申请/专利权人：株式会社日立高新技术
申请日：2003-02-27
公开（公告）日：2004-09-08
公开（公告）号：CN1527378A
专利技术分类：...利用互连在器件中的分离元件间传输电流[2006.01]
专利摘要：一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理方法，其特征是：蚀刻处理low－k材料以后，在蚀刻处理的同一处理室、或通过真空中运送在另外的处理室，将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面，进行碳化、氮化、溴化、硼化、还原、非晶化或这些的组合的表面改性处理的铜阻挡层处理，将铜埋入具有进行了铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部。
专利权项：1.一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理方法，其特征是：蚀刻处理low-k材料以后，在蚀刻处理的同一处理室、或通过真空中运送在另外的处理室，将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面，进行碳化、氮化、溴化、硼化、还原、非晶化或这些的组合的表面改性处理的铜阻挡层处理，将铜埋入具有进行了铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部。
百度查询： 株式会社日立高新技术 镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造
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