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申请/专利权人：株式会社日立高新技术
申请日：2003-02-27
公开（公告）日：2004-09-08
公开（公告）号：CN1527377A
专利技术分类：...利用互连在器件中的分离元件间传输电流[2006.01]
专利摘要：一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜，形成电传导性的镶嵌构造，其特征是柱塞部是作为该柱塞部内壁的侧面部分和平面部分从其表面向内部，在3nm～50nm深度形成铜阻挡层，而且上述柱塞部中埋入铜。
专利权项：1.一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜，形成电传导性的镶嵌构造，其特征是柱塞部是作为该柱塞部内壁的侧面部分和平面部分从其表面向内部，在3nm～50nm深度形成铜阻挡层，而且上述柱塞部中埋入铜。
百度查询： 株式会社日立高新技术 镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造
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