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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日：2005-05-11
公开（公告）日：2009-05-06
公开（公告）号：CN101427356A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明提供在衬底中注入离子的方法，以及制造集成电路的方法。除了其他步骤，在衬底中注入离子的方法包括：将衬底410放在注入盘上405，以使衬底410的主轴430相对于所述注入盘405的径向偏移旋转大约30度到大约60度或者大约120度到大约150度，此外，其中所述衬底410未被倾斜。所述方法进一步包括，注入离子至衬底410中，所述主轴430的旋转位置减小了阴影效应或阴影遮蔽shadowing。
专利权项：1.一种在衬底中注入离子的方法，包括：将衬底放置在注入盘上，以使所述衬底的主轴相对于所述注入盘的径向偏移旋转大约30度到大约60度，或者大约120度到大约150度，此外其中所述衬底未被倾斜；以及注入离子至所述衬底中，所述主轴的旋转位置减小了阴影效应。
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 注入最优化方案
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