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申请/专利权人：索尼株式会社
申请日：2008-02-21
公开（公告）日：2010-12-22
公开（公告）号：CN101252144B
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
专利权项：一种存储器件，包括：存储层，基于磁体的磁化状态在其上保存信息；磁化固定层，具有固定磁化方向，通过非磁性层形成在所述存储层上，所述磁化固定层包括通过非磁性层堆叠的多个铁磁层；以及两条金属配线，邻近所述磁化固定层的两端形成，其中通过使电流沿堆叠方向通过所述存储层来改变所述存储层的磁化方向，以将所述信息记录在所述存储层上，以及通过使电流沿相同方向流过所述两条金属配线，在形成所述磁化固定层的所述多个铁磁层中、至少位于与所述存储层最近侧的铁磁层的两端形成第一磁化区域和第二磁化区域，所述第一磁化区域和所述第二磁化区域包括沿堆叠方向的磁化分量并且它们的方向互不相同。
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