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申请/专利权人：索尼株式会社
申请日：2008-02-21
公开（公告）日：2008-08-27
公开（公告）号：CN101252144A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线。在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
专利权项：1.一种存储器件，包括：存储层，基于磁体的磁化状态在其上保存信息；磁化固定层，具有固定磁化方向，通过非磁性层形成在所述存储层上；以及两条金属配线，邻近所述磁化固定层的两端形成，其中通过使电流沿堆叠方向通过所述存储层来改变所述存储层的磁化方向，以将所述信息记录在所述存储层上。
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