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申请/专利权人：英特尔公司
申请日：2011-11-23
公开（公告）日：2016-09-07
公开（公告）号：CN105923602A
专利技术分类：
专利摘要：本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
专利权项：一种形成纳米线器件的方法，包括：在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层；通过蚀刻所述交替层形成鳍结构并在所述鳍结构附近形成沟槽；在所述鳍结构上形成鳍间隔物；执行第二沟槽蚀刻以使所述鳍结构的底部鳍区露出；使所述底部鳍区氧化；横跨和在所述鳍结构上形成间隔物；从所述衬底上的源极漏极区去除所述鳍结构的一部分，然后在所述源极漏极区上形成源极漏极结构，其中所述源极漏极区位于所述间隔物附近；以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构中去除所述硅层。
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