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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2018-07-03
公开(公告)日:2019-10-29
公开(公告)号:CN110391292A
专利技术分类:...除掺杂材料或其他杂质外,只包括以游离态存在的周期系中Ⅳ族元素的[2006.01]
专利摘要:在此提供包括锗和镓的逐渐变细的纳米线及其形成方法。所描述的纳米线还可以包括第二半导体材料的一个或多个部分。本揭示内容的方法可以包括使用镓催化剂的气‑液‑固磊晶。所描述的方法还可以包括通过使用电子束对基板的区域充电并且引导镓离子束横越基板的表面而沉积镓晶种于基板的表面上。
专利权项:1.一种纳米线,其特征在于,包括:包括锗和镓的一第一平直部分,该第一平直部分在一第一位置处具有一第一直径并且在一第二位置处具有一第二直径,该第二位置比该第一位置远离一基板,该第一直径大于该第二直径。
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 纳米线
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