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申请/专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日：2010-10-04
公开（公告）日：2016-06-01
公开（公告）号：CN102712480B
专利技术分类：.硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种硅或硅基合金的熔炼方法及用于该方法的炉，为将硅原料或硅基合金原料熔炼的方法及用于该方法的炉，其特征在于，利用通电发热的发热体对所述原料进行加热，并在氧分压为10～1000Pa的惰性气氛中对所述原料进行熔炼。本发明提供改变现有使用的加热器的材质并在不需要调节为高真空的炉中将硅或硅基合金熔炼的方法及用于该方法的熔炼炉，并且，通过根据需要改变加热器、绝热材料等的材质防止杂质的混入。由此，本发明课题在于以低成本制造单晶或多晶硅或硅基合金。
专利权项：一种硅或硅基合金的熔炼方法，其为将硅原料或硅基合金原料熔炼的方法，其特征在于，将惰性气体引入到熔炼炉内并排出，在氧分压为10～300Pa的惰性气氛中处理从原料的熔炼到凝固的工序。
百度查询： 吉坤日矿日石金属株式会社 硅或硅合金熔炼炉
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