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申请/专利权人：大金工业株式会社
申请日：2003-08-04
公开（公告）日：2005-10-12
公开（公告）号：CN1682355A
专利技术分类：.......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）[2006.01]
专利摘要：本发明提供腐蚀液，该腐蚀液适合应用在将表面上形成了介电常数为大于等于8的膜High－k膜和硅氧化膜的材料进行腐蚀处理，High－k膜的腐蚀速度为大于等于2分，热氧化膜THOX和High－k膜的腐蚀速度的比为小于等于50。前述腐蚀液优选使用氟化氢HF和各种醚系有机溶剂混合后的物质。
专利权项：1.一种腐蚀液，介电常数为大于等于8的膜High-k膜的腐蚀速度为大于等于2分，热氧化膜THOX和High-k膜的腐蚀速度的比[THOX的腐蚀速度][High-k膜的腐蚀速度]为小于等于50。
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