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申请/专利权人：株式会社LG化学
申请日：2017-11-29
公开（公告）日：2019-07-16
公开（公告）号：CN110023384A
专利技术分类：..薄膜、膜或隔膜[2006.01]
专利摘要：本申请涉及嵌段共聚物及其用途。本申请可以提供层合体以及使用其生产图案化基底的方法，所述层合体能够在基底上形成高度取向的嵌段共聚物，并因此可以有效地应用于生产各种图案化基底。
专利权项：1.一种层合体，包括：包含嵌段共聚物的嵌段共聚物膜，所述嵌段共聚物包含满足以下条件1至条件3中的一个或更多个的聚合物链段A、以及与所述聚合物链段A不同的并且与所述聚合物链段A的表面能之差的绝对值为10mNm或更小的聚合物链段B；以及聚合物膜，所述聚合物膜形成为与所述嵌段共聚物膜接触，并且包含含有下式1的单体单元和下式3的单体单元的无规共聚物，条件1：在DSC分析中在-80℃至200℃的范围内显示出熔融转变峰或各向同性转变峰：条件2：在XRD分析中在0.5nm-1至10nm-1的散射矢量q范围内显示出半值宽度在0.2nm-1至0.9nm-1的范围内的峰：条件3：包含侧链，其中所述侧链中的成链原子的数目n与XRD分析中的散射矢量q满足以下方程式1：[方程式1]3nm-1至5nm-1＝nq2xπ其中，n为所述成链原子的数目，以及q为其中在所述嵌段共聚物的X射线衍射分析中观察到峰的最小散射矢量q、或者其中观察到最大峰面积的峰的散射矢量q：[式1] 其中，R为氢或具有1至4个碳原子的烷基，X为单键、氧原子、硫原子、-S＝O2-、羰基、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C＝O-X1-或-X1-C＝O-，其中X1为氧原子、硫原子、-S＝O2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及Y为包含连接有具有8个或更多个成链原子的侧链的环结构的一价取代基：[式3] 其中，X2为单键、氧原子、硫原子、-S＝O2-、亚烷基、亚烯基、亚炔基、-C＝O-X1-或-X1-C＝O-，其中X1为单键、氧原子、硫原子、-S＝O2-、亚烷基、亚烯基或亚炔基，以及W为包含至少一个卤素原子的芳基。
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