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申请/专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
摘要：本发明提供一种发光二极管外延结构生长方法，所述方法包括步骤：在衬底上，生长第一半导体层；在所述第一半导体层上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长第一多量子阱结构；在所述第一多量子阱结构生长第二多量子阱结构，其中，所述第二多量子阱结构至少包括：至少两个多量子阱和多量子势垒，其中，所述多量子势垒包含：含铝和镓的第一氮化物，以及含铝的第二氮化物，且所述第一氮化物和所述第二氮化物交替生长；在所述第二多量子阱结构上生长第二P型半导体层；在所述第二P型半导体层上生长所述电子阻挡层；在所述电子阻挡层上生长第三P型半导体层。
主权项：1.一种发光二极管外延结构生长方法，其特征在于，所述方法包括步骤：在衬底上，生长第一半导体层；在所述第一半导体层上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长第一多量子阱结构；在所述第一多量子阱结构生长第二多量子阱结构，其中，所述第二多量子阱结构至少包括：至少两个多量子阱和多量子势垒，其中，所述多量子势垒包含：含铝和镓的第一氮化物，以及含铝的第二氮化物，且所述第一氮化物和所述第二氮化物交替生长；在所述第二多量子阱结构上生长第二P型半导体层；在所述第二P型半导体层上生长所述电子阻挡层；在所述电子阻挡层上生长第三P型半导体层。
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权利要求：
百度查询： 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管外延结构生长方法
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